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电致发光二极管的特性和通常使用的整流二极管很相似。电致发光半导体的禁带宽度增加，能使正向低阻抗方向的“弯曲”电压稍有提高。应注意:灯用半导体一般须以电源电流来工作，否则就须用串联电阻限制其电流。在反向电压下，灯会出现高阻抗，最高可达到击穿电压。这种击穿电压的范围为5伏到25 伏。如把反向电压限制在该数值之内，就不会因接错方向而产生不良后果。
正向电流限制一般是由器件的温升引起的。它能承受短时期的正向电流冲击,或可用于脉冲重复电流中。当钨丝白炽灯通电后,起始冲击电流比正常工作电流要大若干倍。这是唯一能和电致发光二极管相比的效应，它应与p-n结的电容量有关。但由于p-n 结的电容量低,在一微秒之内就可能衰减。
半导体的整流特性很适于制造逻辑元件。这在程序警报指示器线路的设计中有明显的优点。
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