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电光源用钍钨阴极

纯钨熔点高，耐高温,蒸汽压低,机械性能好，成本也低。但是纯钨逸出功高(4.5oV)，灯的启动电压高,且在大能量的离子轰击下容易溅散,寿命短,故不宜做阴极材料。实践中发现,在钨中掺杂有0.5~1.5% ThO2的钨，经适当的热处理后，在相同温度下的电子发射要比纯钨的电子发射大得多。
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